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开云电竞-三星电子:2nm良率爬坡好于预期,泰勒厂预计年底完成首批流片

提供者: 来源: 时间:2026-03-25

三星电子:2nm良率爬坡好于预期,泰勒厂预计年底完成首批流片 作者: 时间:2026-03-09 来源:IT之家 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询

3 月 9 日消息,参考韩媒 iner:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s24 的报道,三星电子高管代表在出席韩国当地时间本月 5 日举行的摩根大通投资者会议时表示,其 2nm 先进制程的良率爬坡进展好于此前预期,同时考虑将产能利用率低的生产线转移至先进封装方向。

对于三星电子位于美国得州泰勒的晶圆厂,企业高管表示该项目当前处于设备安装阶段,预计首批晶圆流片将在 2026 年底前完成(考虑到后续工序的用时,对应的首批出货时间将落在 2027 年)。

而在 HBM 相关业务方面,代表重申了 2026 年销售额较 2025 年增长 3 倍、市占超越 30% 的目标,此外还称 HBM3E 的价格今年可能会有所改善。三星电子将包含先进制程、存储器、先进封装的“交钥匙”解决方案视为其后 HBM4 世代的关键增长点,同时计划扩大与代工厂伙伴的逻辑芯片定制合作。

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